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IRFS4227TRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4227TRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5332
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9157RL
Cinta adhesiva13AC9157
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
1,321 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.300 | $5.30 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.300 |
| 50+ | $2.940 |
| 100+ | $2.710 |
| 250+ | $2.660 |
| 500+ | $2.610 |
| 1000+ | $2.550 |
| 2500+ | $2.500 |
| 5000+ | $2.440 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $2.180 |
| 1600+ | $2.100 |
| 2400+ | $2.010 |
| 4000+ | $1.970 |
| 8000+ | $1.930 |
| 20000+ | $1.900 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4227TRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5332
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9157RL
Cinta adhesiva13AC9157
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id62A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia330W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
62A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
330W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFS4227TRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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