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IRFS4229TRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.760 | $5.76 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.76 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.760 |
| 10+ | $3.850 |
| 25+ | $3.570 |
| 50+ | $3.280 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4229TRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3281
Cinta adhesiva43AC3281
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id45
Resistencia de Activación Rds(on)0.042ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.048
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia330
Disipación de Potencia Pd330W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
HEXFET® Power MOSFET está especialmente diseñado para aplicaciones sostenidas, de recuperación de energía y de conmutación de paso en paneles de pantalla de plasma. Cuenta con una clasificación EPULSE baja para reducir la disipación de energía en aplicaciones de sostenimiento PDP, recuperación de energía y conmutación de paso.
- Tecnología de proceso avanzada
- Baja QG para una respuesta rápida
- Gran capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento confiable
- Tiempos cortos de subida y bajada para un cambio rápido
- Temperatura operativa de la unión de 175°C para mejorar la robustez
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.042ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
330
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
45
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.048
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
330W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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