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IRLB3034PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 195 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLB3034PBF
No. Parte Newark10R3511
También conocido comoSP001578716
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLB3034PBF
No. Parte Newark10R3511
También conocido comoSP001578716
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id195A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0017ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0014ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia375W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRLB3034PBF
4 productos encontrados
Resumen del producto
El IRLB3034PBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 40 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET cuenta con compuerta mejorada, avalancha y robustez dV/dt dinámica, conmutación rápida. Aplicable a la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, accionamiento de motor de CD, circuitos conmutados y de alta frecuencia.
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Rds muy bajo (activado) a 4.5V Vgs
- Superior RxQ a 4.5V VGS
- Optimizado para la unidad de nivel lógico
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 40V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 1.4mohm con Vgs de 10V
- Disipación de potencia Pd de 375W a 25 °C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0017ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
195A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0014ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
375W
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto