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IRS2001PBF
Driver MOSFET Doble, Lado Bajo y Alto, Alimentación:10V-20V, Salida Pico: 600mA, DIP-8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRS2001PBF
No. Parte Newark21M6576
También conocido comoSP001542642
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 11 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.250 |
| 10+ | $2.110 |
| 25+ | $2.100 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.25
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRS2001PBF
No. Parte Newark21M6576
También conocido comoSP001542642
Hoja de datos técnicos
No. de Canales2Canales
Tipo de Controlador de Compuerta-
Configuración del ControladorLado Alto y Lado Bajo
Tipo de Interruptor de PotenciaIGBT, MOSFET
Tipo de ControladorDIP
No. de Pines8Pines
Estuche / Paquete CIDIP
Tipo de EntradaNo Inversor
IC, MontajeThrough Hole
Corriente Fuente290mA
Corriente Sumidero600mA
Tensión de Alimentación Mín.10V
Tensión de Alimentación Máx.20V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Retardo de Entrada160ns
Retardo de Salida150ns
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jan-2020)
Resumen del producto
IRS2001PBF is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 200V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Fully operational to +200V
- Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
- Gate drive supply range from 10V to 20V
- Undervoltage lockout, matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
- Low-side output voltage is -0.3V (minimum)
- Turn-on propagation delay is 160ns (typ, VS = 0V, TA = 25°C)
- Offset supply leakage current is 50µA maximum, VIN = 0V or 5V, TA = 25°C)
- 8 lead PDIP, ambient temperature range from -40 to 125°C
Especificaciones técnicas
No. de Canales
2Canales
Configuración del Controlador
Lado Alto y Lado Bajo
Tipo de Controlador
DIP
Estuche / Paquete CI
DIP
IC, Montaje
Through Hole
Corriente Sumidero
600mA
Tensión de Alimentación Máx.
20V
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Retardo de Salida
150ns
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jan-2020)
Tipo de Controlador de Compuerta
-
Tipo de Interruptor de Potencia
IGBT, MOSFET
No. de Pines
8Pines
Tipo de Entrada
No Inversor
Corriente Fuente
290mA
Tensión de Alimentación Mín.
10V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
160ns
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jan-2020)
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