Imprimir página
S25HL512TFANHI010
Memoria Flash, NOR Serial, 512 Mbit, 64M x 8bit, SPI, WSON, 8 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25HL512TFANHI010
No. Parte Newark51AH6475
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
382 En Stock
¿Necesita más?
28 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
354 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.590 |
| 10+ | $7.530 |
| 25+ | $7.000 |
| 50+ | $6.790 |
| 100+ | $6.630 |
| 250+ | $6.630 |
| 676+ | $6.620 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.59
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25HL512TFANHI010
No. Parte Newark51AH6475
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Serial
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria512
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria64M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesQPI, SPI
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIWSON-EP
No. de Pines8Pines
Frecuencia Max de Reloj166
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S25HL512TFANHI010 is a S25HS 1.8V SEMPER flash quad serial peripheral interface (SPI) in a 8 pin WSON-EP package.
- 512Mb density
- CYPRESS™ 45-nm MIRRORBIT™ technology that stores two data bits in each memory array cell
- 166MHz SDR and 102MHz DDR
- Legacy block protection for memory array and device configuration
- Advanced sector protection for individual memory array sector based protection
- AutoBoot enables immediate access to the memory array following power-on
- Minimum 1,280,000 program-erase cycles for the main array
- Supply voltage range from 2.7V to 3.6V
- Industrial temperature range from -40°C to +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Serial
Densidad de Memoria
512
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Interfaces
QPI, SPI
Estuche / Paquete CI
WSON-EP
Frecuencia Max de Reloj
166
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
8Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto