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S29GL01GS11TFIV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11TFIV10
No. Parte Newark39AH9291
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
28 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.350 |
| 10+ | $11.790 |
| 25+ | $11.420 |
| 50+ | $10.830 |
| 100+ | $10.540 |
| 250+ | $10.530 |
| 500+ | $10.530 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11TFIV10
No. Parte Newark39AH9291
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Densidad de Memoria1Gbit
Tamaño de la Memoria0
Configuración de Memoria128M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
InterfacesCFI, Paralelo
Tipo de Interfaz IC0
Estuche / Paquete CITSOP
Memoria, Tipo0
No. de Pines56Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GS11TFIV10 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 65nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- CMOS 3.0V core w/ versatile I/O, 110ns random access time, CFI parallel interfaces
- VIO = 1.65V to VCC, VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- Versatile I/O feature, wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC and ×16 data bus
- Asynchronous 32-byte page read and 512-byte programming buffer
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) – internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 1024byte OTP array w/ 2 lockable region
- 56 pin TSOP package and industrial temperature range from -40 to 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
110ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
1Gbit
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Interfaces
CFI, Paralelo
Estuche / Paquete CI
TSOP
No. de Pines
56Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto