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S29GL01GS11TFIV13
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11TFIV13
No. Parte Newark86AK7848
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
950 En Stock
¿Necesita más?
28 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
922 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.320 |
| 10+ | $10.320 |
| 25+ | $10.320 |
| 50+ | $10.320 |
| 100+ | $10.320 |
| 250+ | $10.320 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.32
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11TFIV13
No. Parte Newark86AK7848
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines56Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GS11TFIV13 is a S29GL01GS MIRRORBIT™ page-mode flash memory IC fabricated on 65nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. This features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This device is ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- CMOS 3.0V core with versatile I/O, single supply (VCC) for read/program/erase (2.7V to 3.6V)
- Versatile I/O feature, wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC, 110ns random access time
- ×16 data bus, asynchronous 32-byte page read, 512-byte programming buffer
- Automatic error checking and correction (ECC)-internal hardware ECC with single bit error correction
- Sector erase-uniform 128kbyte sectors, advanced sector protection (ASP), 20 years data retention
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- Suspend and resume commands for program and erase operations, 100000 program/erase cycles
- Separate 1024-byte one time program (OTP) array with two lockable regions
- Thin small outline package (TSOP) standard pinout, industrial (–40 to 85°C) temperature
- VIO = 1.65V to VCC, VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Estuche / Paquete CI
TSOP
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Densidad de Memoria
1
Interfaces
Parallel
No. de Pines
56Pines
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto