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S29GL01GS12DHVV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS12DHVV10
No. Parte Newark62AK5983
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
228 En Stock
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28 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
200 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.240 |
| 10+ | $11.240 |
| 25+ | $11.240 |
| 50+ | $11.240 |
| 100+ | $11.240 |
| 250+ | $11.240 |
| 520+ | $11.240 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$11.24
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS12DHVV10
No. Parte Newark62AK5983
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria1Gbit
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria128M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso120ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.105°C
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GS12DHVV10 is a MIRRORBIT™ eclipse flash memory fabricated on 65-nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- 120ns random access time speed
- Fortified ball-grid array package (LAE064) package type
- Industrial plus temperature range from –40°C to +105°C
- VIO = 1.65V to VCC, VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- ×16 data bus, asynchronous 32byte page read
- Programming in page multiples, up to a maximum of 512bytes
- Automatic error checking and correction internal hardware ECC with single bit error correction
- Sector erase, uniform 128kbyte sectors
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- 100000 program / erase cycles, 20 years data retention
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memoria, Tipo
0
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
120ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densidad de Memoria
1Gbit
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
64Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto