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S29GL01GT10FHI010
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GT10FHI010
No. Parte Newark22AC8617
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
28 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.110 |
| 10+ | $12.890 |
| 25+ | $12.420 |
| 50+ | $11.770 |
| 100+ | $11.350 |
| 250+ | $10.880 |
| 500+ | $10.690 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GT10FHI010
No. Parte Newark22AC8617
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Densidad de Memoria1Gbit
Tamaño de la Memoria0
Configuración de Memoria128M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesCFI, Paralelo
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines64Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso100ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GT10FHI010 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 45nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- VIO=VCC=2.7- 3.6V(high address sector protected), 100ns random access time
- CFI parallel interface
- Asynchronous 32-byte page read
- 512-byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) - internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 2048byte OTP array w/ 4 lockable region
- Fortified ball-grid array package (LAA064) 13 x 11mm, industrial temperature range from -40 to 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
CFI, Paralelo
Memoria, Tipo
0
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
100ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
1Gbit
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
64Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto