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S29GL128S10DHIV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 128 Mbit, 8M x 16bit, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL128S10DHIV10
No. Parte Newark86AK7849
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
1,300 En Stock
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46 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
1254 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.080 |
| 10+ | $4.670 |
| 25+ | $4.560 |
| 50+ | $4.520 |
| 100+ | $4.270 |
| 250+ | $4.000 |
| 500+ | $3.920 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.08
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL128S10DHIV10
No. Parte Newark86AK7849
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria128Mbit
Configuración de Memoria8M x 16bit
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso100ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL128S10DHIV10 is a MIRRORBIT™ Eclipse flash product fabricated on 65nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. This features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.
- 100ns random access time
- CMOS 3.0V core with versatile I/O, 65nm MIRRORBIT™ Eclipse technology
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7 V to 3.6 V)
- ×16 data bus, asynchronous 32-byte page read
- Programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Automatic error checking and correction – internal hardware ECC with single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- Fortified ball-grid array package (LAE064), industrial temperature range from -40°C to +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Configuración de Memoria
8M x 16bit
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Densidad de Memoria
128Mbit
Interfaces
Parallel
No. de Pines
64Pines
Tiempo de Acceso
100ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto