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S29GL128S10TFI010
Memoria Flash, NOR Paralela, 128 Mbit, 8M x 16bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL128S10TFI010
No. Parte Newark59T0084
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
15 En Stock
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL128S10TFI010
No. Parte Newark59T0084
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria128Mbit
Configuración de Memoria16M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesCFI, Parallel
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines56Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso100ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL128S10TFI010 is a 128Mbit, 16M x 8bit MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 65-nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- CMOS 3.0V core w/ versatile I/O and 100ns random access parallel interfaces
- VIO = VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- Asynchronous 32-byte page read
- 512-byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) - internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 1024byte OTP array w/ 2 lockable region
- 56 pin TSOP package and industrial temperature range from -40 to 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Densidad de Memoria
128Mbit
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
CFI, Parallel
Estuche / Paquete CI
TSOP
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
100ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
16M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
56Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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