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S70GL02GS12FHIV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 2 Gbit, 256M x 8bit / 128M x 16bit, CFI, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | S70GL02GS12FHIV10Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 semanas |
| No. Parte Newark | 99AC9694 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
910 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $55.300 |
| 5+ | $53.210 |
| 10+ | $51.120 |
| 25+ | $49.470 |
| 50+ | $48.230 |
| 100+ | $47.020 |
| 250+ | $45.450 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | S70GL02GS12FHIV10Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 semanas |
| No. Parte Newark | 99AC9694 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Memoria Flash | Parallel NOR |
| Densidad de Memoria | 2 |
| Tamaño de la Memoria | 0 |
| Configuración de Memoria | 256M x 8bit / 128M x 16bit |
| Configuración Memoria Flash | 0 |
| Interfaces | CFI, Parallel |
| Tipo de Interfaz IC | 0 |
| Memoria, Tipo | 0 |
| Estuche / Paquete CI | FBGA |
| No. de Pines | 64Pines |
| Frecuencia de Reloj | 0 |
| Frecuencia Max de Reloj | - |
| Tiempo de Acceso | 120 |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 85 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El S70GL02GS12FHIV10 es un dispositivo de memoria flash GL-T MIRRORBIT™ fabricado con tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de 25ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de 110
- Fuente de alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (2.7V a 3.6V)
- Búfer de lectura de página de 16 palabras/32 bytes
- Programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512bytes
- Sectores uniformes de 128KB, 2048 sectores
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 1024bytes con dos regiones bloqueables
- 100,000 ciclos de borrado por sector (típico), retención de datos de 20 años (típica).
- FBGA de 64 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
| Tipo de Memoria Flash | Parallel NOR |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 0 |
| Configuración Memoria Flash | 0 |
| Tipo de Interfaz IC | 0 |
| Estuche / Paquete CI | FBGA |
| Frecuencia de Reloj | 0 |
| Tiempo de Acceso | 120 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 85 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Densidad de Memoria | 2 |
|---|---|
| Configuración de Memoria | 256M x 8bit / 128M x 16bit |
| Interfaces | CFI, Parallel |
| Memoria, Tipo | 0 |
| No. de Pines | 64Pines |
| Frecuencia Max de Reloj | - |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3 |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | 3A991B1A |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |