Imprimir página
S76HS512TC0BHB010
Memoria Flash, 512 Mbit, HyperBus, FBGA, 24 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS76HS512TC0BHB010
No. Parte Newark62AK4226
Hoja de datos técnicos
60 En Stock
¿Necesita más?
24 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
36 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.920 |
| 5+ | $15.920 |
| 10+ | $15.920 |
| 25+ | $15.920 |
| 50+ | $15.920 |
| 100+ | $15.920 |
| 250+ | $15.920 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.92
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS76HS512TC0BHB010
No. Parte Newark62AK4226
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria Flash-
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria512Mbit
Configuración de Memoria-
Configuración Memoria Flash0
InterfacesHyperBus
Tipo de Interfaz IC0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines24Pines
Frecuencia Max de Reloj200MHz
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.1.7V
Tensión de Alimentación Máx.2V
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.105°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- SEMPER™ Flash and HYPERRAM™ 2.0 with HYPERBUS™ interface in multi-chip package (MCP)
- 1.8V, 512Mb SEMPER™ Flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0
- 512Mb SEMPER™ flash density, 45-nm MIRRORBIT™ Process technology SEMPER™ flash device technology
- 64Mb HYPERRAM™ density, 24-ball FBGA package, low-halogen package material
- Automotive, AEC-Q100 grade 2, operating temperature range from -40°C to +105°C, 200MHz
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0]), data strobe (DS/RWDS)
- Bidirectional DS/mask, output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read DS, optional signals
- Busy to ready transition, RSTO# output to generate system level power-on-reset (POR)
- User configurable RSTO# LOW period, high-performance, DDR, two data transfers per clock
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
-
Densidad de Memoria
512Mbit
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia Max de Reloj
200MHz
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
2V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
-
Interfaces
HyperBus
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
24Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
1.7V
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto