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SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD15P10PLGBTMA1
No. Parte Newark47W3760
También conocido comoSPD15P10PL G, SP000317393
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD15P10PLGBTMA1
No. Parte Newark47W3760
También conocido comoSPD15P10PL G, SP000317393
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id15A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd128W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia128W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SPD15P10PL G es un MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ que cumple constantemente con las más altas demandas de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de energía, como resistencia en estado ON y características de figura de mérito.
- Modo mejorado
- Avalancha clasificada
- Paquetes de señales pequeñas aprobados para AEC-Q101
- Nivel lógico
- Dispositivo verde
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
15A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
128W
Disipación de Potencia
128W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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