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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16160B-7BL
No. Parte Newark43M4843
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 5 semana(s)
Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16160B-7BL
No. Parte Newark43M4843
Hoja de datos técnicos
Configuración Memoria DRAM4 BLK (4M x 16)
Tipo de DRAMSDR
Densidad de DRAM256Mbit
Densidad de Memoria256
Memoria, TipoTSOP
Configuración de Memoria4 BLK (4M x 16)
Frecuencia de Reloj143MHz
Frecuencia Max de Reloj143
Tipo de Interfaz ICParallel
Tiempo de Acceso7ns
Estuche / Paquete CITSOP
Tamaño de Página256Mbit
No. de Pines54Pines
Tensión de Alimentación Nom.3.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.70
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración Memoria DRAM
4 BLK (4M x 16)
Densidad de DRAM
256Mbit
Memoria, Tipo
TSOP
Frecuencia de Reloj
143MHz
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Estuche / Paquete CI
TSOP
No. de Pines
54Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
70
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de DRAM
SDR
Densidad de Memoria
256
Configuración de Memoria
4 BLK (4M x 16)
Frecuencia Max de Reloj
143
Tiempo de Acceso
7ns
Tamaño de Página
256Mbit
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
Temperatura de Trabajo Mín.
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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