IS42S16160J-7BLI

IS42S16160J-7BLI es una DRAM síncrona de 256Mb que logra una transferencia de datos de alta velocidad mediante una arquitectura de canalización. Todas las señales de entrada y salida se refieren al flanco ascendente de la entrada de reloj. Es una memoria de acceso aleatorio dinámica CMOS de alta velocidad diseñada para operar en sistemas de memoria de 3.3V Vdd y 3.3V Vddq que contienen 268,435,456 bits. Configurado internamente como una DRAM de cuatro bancos con una interfaz síncrona. La SDRAM de 256Mb incluye un MODO DE ACTUALIZACIÓN AUTOMÁTICA y un modo de ahorro y apagado de energía. Todas las señales se registran en el flanco positivo de la señal de reloj, CLK. Todas las entradas y salidas son compatibles con LVTTL. La SDRAM de 256Mb tiene la capacidad de transmitir datos en ráfagas de manera sincrónica a una alta velocidad de datos con generación automática de direcciones de columna, la capacidad de intercalar entre bancos internos para ocultar el tiempo de precarga y la capacidad de cambiar aleatoriamente las direcciones de columna en cada ciclo de reloj durante el acceso en ráfaga.

• Completamente sincrónico; todas las señales referenciadas a un flanco de reloj positivo
• Banco interno para ocultar el acceso a filas/precarga, interfaz LVTTL
• La fuente de alimentación única es de 3.3V ± 0.3V
• Secuencia de ráfagas programable: secuencial/entrelazada
• Actualización automática (CBR), actualización automática, dirección de columna aleatoria en cada ciclo de reloj
• Latencia CAS activa programable baja (2, 3 relojes), frecuencia de 143MHz, velocidad de 7ns
• Capacidad de operaciones de lectura/escritura en ráfaga y de lectura/escritura única en ráfaga
• Terminación de ráfaga mediante comando de precarga y parada de ráfaga
• Paquete BGA de 54 bolas
• Rango de clasificación de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C