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IS42S16160J-7TLI
DRAM, 16M x 16bit, 5.4ns, Interfaz LVTTL, TSOP-II-24
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16160J-7TLI
No. Parte Newark52Y1983
Hoja de datos técnicos
324 En Stock
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16160J-7TLI
No. Parte Newark52Y1983
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMSDR
Configuración Memoria DRAM16M x 16bit
Densidad de Memoria256Mbit
Densidad de DRAM256Mbit
Memoria, TipoTSOP-II
Configuración de Memoria16M x 16bit
Frecuencia de Reloj143MHz
Frecuencia Max de Reloj143MHz
Tipo de Interfaz ICLVTTL
Estuche / Paquete CITSOP-II
Tiempo de Acceso5.4ns
No. de Pines54Pines
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
SDR
Densidad de Memoria
256Mbit
Memoria, Tipo
TSOP-II
Frecuencia de Reloj
143MHz
Tipo de Interfaz IC
LVTTL
Tiempo de Acceso
5.4ns
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Configuración Memoria DRAM
16M x 16bit
Densidad de DRAM
256Mbit
Configuración de Memoria
16M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj
143MHz
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
No. de Pines
54Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto