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                      IS43TR16256BL-125KBLI

                      DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16bit, 800 MHz, BGA, 96 Pines

                      INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI IS43TR16256BL-125KBLI
                      La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
                      FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
                      No. Parte FabricanteIS43TR16256BL-125KBLI
                      No. Parte Newark01AH2521
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

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                      Información del producto

                      FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
                      No. Parte FabricanteIS43TR16256BL-125KBLI
                      No. Parte Newark01AH2521
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Tipo de DRAMDDR3L
                      Densidad de Memoria4Gbit
                      Configuración de Memoria256M x 16bit
                      Frecuencia Max de Reloj800MHz
                      Estuche / Paquete CIBGA
                      No. de Pines96Pines
                      Tensión de Alimentación Nom.1.35V
                      IC, MontajeSurface Mount
                      Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
                      Temperatura de Trabajo Máx.95°C
                      Rango de Producto-
                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)

                      Resumen del producto

                      IS43TR16256BL-125KBLI es una SDRAM DDR3 de 4Gb y 256Mx16 de 1600MT/s. El controlador de memoria inicia el modo de nivelación de todas las DRAM estableciendo el bit 7 de MR1 en 1. Al ingresar al modo de nivelación de escritura, los pines DQ están en modo de conducción indefinido. Durante el modo de nivelación de escritura, solo se permiten los comandos NOP o DESELECT, así como un comando MRS para salir del modo de nivelación de escritura. El controlador puede poner DQS bajo y DQS# alto después de un retraso de tWLDQSEN, momento en el cual la DRAM ha aplicado la terminación en matriz a estas señales. Después de tDQSL y tWLMRD, el controlador proporciona un único borde DQS, DQS# que la DRAM utiliza para muestrear CK - CK# impulsado desde el controlador.

                      • El voltaje estándar es VDD y VDDQ = 1.5V ± 0.075V
                      • Velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con una frecuencia del sistema de hasta 1066MHz
                      • 8 bancos internos para operación concurrente, arquitectura de precarga de 8n bits
                      • Latencia CAS programable, latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
                      • Latencia de escritura CAS programable (CWL) basada en tCK, longitud de ráfaga programable: 4 y 8
                      • Secuencia de ráfaga programable: secuencial o intercalada, cambio de BL sobre la marcha
                      • Actualización automática (ASR), actualización automática de temperatura (SRT)
                      • Actualización automática de matriz parcial, pin de REINICIO asíncrono, nivelación de escritura
                      • Paquete BGA de 96 bolas
                      • Rango de clasificación industrial de -40 °C ≤ TC ≤ 95 °C

                      Especificaciones técnicas

                      Tipo de DRAM

                      DDR3L

                      Configuración de Memoria

                      256M x 16bit

                      Estuche / Paquete CI

                      BGA

                      Tensión de Alimentación Nom.

                      1.35V

                      Temperatura de Trabajo Mín.

                      -40°C

                      Rango de Producto

                      -

                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

                      No SVHC (23-Jan-2024)

                      Densidad de Memoria

                      4Gbit

                      Frecuencia Max de Reloj

                      800MHz

                      No. de Pines

                      96Pines

                      IC, Montaje

                      Surface Mount

                      Temperatura de Trabajo Máx.

                      95°C

                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

                      MSL 3 - 168 hours

                      Documentos técnicos (1)

                      Technical Data Sheet EN

                      Legislación y medioambiente

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme a RoHS:Sí

                      RoHS

                      Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

                      RoHS

                      Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
                      Descargue el certificado de cumplimiento del producto

                      Certificado de conformidad del producto

                      Servicio al cliente
                      Necesito Ayuda
                      Ventas 01.800.463.9275
                      Soporte técnico 01.800.463.9275
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