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IXTP08N100D2
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
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No. Parte Newark71AH4576
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP08N100D2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark71AH4576
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id800
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente21
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia60
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia
60
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
21
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto