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IXFN170N65X2
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 170 A, 650 V, 0.013 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN170N65X2
No. Parte Newark03AH0724
Rango de ProductoHiPERFET X2 Series
Hoja de datos técnicos
284 En Stock
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN170N65X2
No. Parte Newark03AH0724
Rango de ProductoHiPERFET X2 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id170
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia1.17
Temperatura de Trabajo Máx.150
Disipación de Potencia Pd1.17kW
Rango de ProductoHiPERFET X2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
170
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.17
Disipación de Potencia Pd
1.17kW
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
HiPERFET X2 Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto