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IXFN520N075T2
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 480 A, 75 V, 0.0015 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN520N075T2
No. Parte Newark03AH0765
Rango de ProductoTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
265 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $36.340 |
| 5+ | $31.600 |
| 10+ | $26.880 |
| 25+ | $25.290 |
| 100+ | $23.710 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN520N075T2
No. Parte Newark03AH0765
Rango de ProductoTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id480
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Resistencia de Activación Rds(on)0.0015ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0015
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia940
Temperatura de Trabajo Máx.175
Disipación de Potencia Pd940W
Rango de ProductoTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
480
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0015ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
940
Disipación de Potencia Pd
940W
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0015
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto