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IXTF02N450
MOSFET de Potencia, Canal N, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
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Tiempo de entrega estándar del fabricante77 semanas
No. Parte Newark03AH1438
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTF02N450Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante77 semanas
No. Parte Newark03AH1438
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds4.5
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente750
Resistencia de Activación Rds(on)750ohm
Diseño de TransistorISOPLUS i4-PAK
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia78
Disipación de Potencia Pd78W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Alternativas para el número de pieza IXTF02N450
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de potencia de alto voltaje en modo de mejora de canal N adecuado para su uso en fuentes de alimentación de alto voltaje, aplicaciones de descarga de capacitores, circuitos de pulso y aplicaciones de sistemas de generación de rayos X y láser.
- Chip de silicio sobre sustrato Direct-Copper Bond (DCB)
- Superficie de montaje aislada
- Aislamiento eléctrico de 4500V
- Los epóxicos de moldeo cumplen con la clasificación de inflamabilidad UL94V-0
- Paquete de alto voltaje
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
750
Diseño de Transistor
ISOPLUS i4-PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
78
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia de Activación Rds(on)
750ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto