Imprimir página
IXXN110N65B4H1
Módulo IGBT, Sencillo, 230 A, 1.72 V, 750 W, 175 °C, SOT-227B
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXXN110N65B4H1
No. Parte Newark03AH1986
Rango de ProductoXPT GenX4 Series
Hoja de datos técnicos
274 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $24.970 |
| 5+ | $24.970 |
| 10+ | $21.650 |
| 25+ | $21.530 |
| 100+ | $19.880 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$24.97
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXXN110N65B4H1
No. Parte Newark03AH1986
Rango de ProductoXPT GenX4 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSencillo
Corriente de Colector DC230A
Corriente del Colector Continua230
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.72
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.72V
Disipación de Potencia Pd750W
Disipación de Potencia750
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Temperatura de Trabajo Máx.175
Diseño de TransistorSOT-227B
Terminación del IGBTPerno
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo650V
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Tecnología IGBTZanja
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoXPT GenX4 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Sencillo
Corriente del Colector Continua
230
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.72V
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
230A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.72
Disipación de Potencia Pd
750W
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Diseño de Transistor
SOT-227B
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
650V
Tecnología IGBT
Zanja
Rango de Producto
XPT GenX4 Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto