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IXXN110N65C4H1
Módulo IGBT, Sencillo, 210 A, 2.06 V, 750 W, 175 °C, SOT-227B
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXXN110N65C4H1
No. Parte Newark03AH1987
Rango de ProductoXPT GenX4 Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $24.130 |
| 5+ | $24.130 |
| 10+ | $22.400 |
| 25+ | $20.850 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXXN110N65C4H1
No. Parte Newark03AH1987
Rango de ProductoXPT GenX4 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSencillo
Corriente de Colector DC210A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.06V
Corriente del Colector Continua210
Disipación de Potencia Pd750W
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.06
Disipación de Potencia750
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo650V
Temperatura de Trabajo Máx.175
No. de Pines4Pines
Diseño de TransistorSOT-227B
Terminación del IGBTPestaña
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoXPT GenX4 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Sencillo
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.06V
Disipación de Potencia Pd
750W
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Diseño de Transistor
SOT-227B
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
210A
Corriente del Colector Continua
210
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.06
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
650V
No. de Pines
4Pines
Terminación del IGBT
Pestaña
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
XPT GenX4 Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto