DS1220AB-200+

El DS1220AB-200+ es una SRAM no volátil de 16K en un paquete EDIP de 24 pines. Esta SRAM no volátil totalmente estática de 16,384 bits está organizada como 2048 palabras por 8 bits. Tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitorea constantemente el VCC en busca de una condición fuera de tolerancia. Durante tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura se habilita incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para retener la frescura hasta que se aplica energía por primera vez. La NV SRAM se puede usar en lugar de las SRAM 2K x 8 existentes que se ajustan directamente al popular paquete DIP de 24 pines en bytewide. El dispositivo también coincide con el pin-out de 2716 EPROM y 2816 EEPROM permitiendo la sustitución directa al tiempo que mejora el rendimiento. El dispositivo también coincide con el pin-out de 2716 EPROM y 2816 EEPROM modificaron la sustitución directa al tiempo que mejora el rendimiento.

• Rango de voltaje de alimentación de 4.75V a 5.25V
• Rango de temperatura de operación entre 0°C y 70°C
• 10 años de retención mínima de datos en ausencia de energía externa
• Los datos se protegen automáticamente durante la pérdida de energía
• Tecnología CMOS de baja potencia
• Tiempo de acceso de lectura y escritura de 200ns.
• Tensión de protección contra escritura de 4.62V
• Capacitancia de entrada-salida 5pF

Notas

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