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2N7002-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte Fabricante2N7002-G
No. Parte Newark41AH8638
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id115
Resistencia de Activación Rds(on)7.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
7.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5
Disipación de Potencia Pd
360mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Alternativas para el número de pieza 2N7002-G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto