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ARF463AP1G
Transistor FET RF, 500 V, 9 A, 180 W, 2 MHz, 100 MHz, TO-247
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteARF463AP1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark78AH6294
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $46.780 |
| 5+ | $44.920 |
| 10+ | $43.070 |
| 25+ | $41.200 |
| 50+ | $39.350 |
| 100+ | $37.490 |
| 250+ | $36.740 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteARF463AP1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark78AH6294
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id9
Disipación de Potencia180
Frecuencia de Funcionamiento Mín.2
Disipación de Potencia Pd180W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.100
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Encapsulado de Transistor RFTO-247
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Disipación de Potencia
180
Disipación de Potencia Pd
180W
Diseño de Transistor
TO-247
Encapsulado de Transistor RF
TO-247
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Intensidad Drenador Continua Id
9
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
2
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
100
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto