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MCP607-I/P
Amplificador Operacional, Doble, 2 Canales, 155 kHz, 0.08 V/µs, 2.5V to 6V, DIP, 8 Pines
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMCP607-I/P
No. Parte Newark34M7484
Hoja de datos técnicos
No. de Canales2Canales
Producto de Ganancia de Ancho de Banda155
Velocidad de Giro Típica0.08
Tensión de Alimentación, Rango2.5V to 6V
Tensión de Alimentación, Rango2.5V to 6V
Estuche / Paquete CIDIP
No. de Pines8Pines
Tipo de AmplificadorCMOS
Riel a RielRail - Rail Output (RRO)
Tensión de Desviación de Salida250
Corriente de Polarización de Entrada1
IC, MontajeThrough Hole
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q100
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de AmplificadorDIP
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q100
Ancho de Banda155
Núm. de Amplificadores2 Amplificadores
Velocidad de Cambio (Slew Rate)0.08
Resumen del producto
MCP607-I/P is a dual micropower CMOS operational amplifier. It is a unity-gain stable with a low offset voltage (250µV, maximum). Performance characteristics include rail-to-rail output swing capability and low input bias current (80pA at +85°C, maximum). These features make this family of op-amps well-suited for single-supply, precision, high-impedance, battery-powered applications. Typical applications battery power instruments, high-impedance applications, strain gauges, medical instruments, and test equipment.
- Input offset voltage range from -250 to +250µV (VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C)
- Power supply rejection ratio is 93dB typ (VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C)
- Input bias current is 80pA max (TA = +85°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND)
- Quiescent current per amplifier is 18.7µA (IO = 0, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C)
- Common mode rejection ratio is 91dB typ (VDD = 5V, VCM = -0.3V to 3.9V, TA = +25°C)
- Gain bandwidth product is 155KHz typ (VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C)
- Slew rate is 0.08V/µs typ (VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C)
- Phase margin is 62° typ (G = +1 V/V, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C)
- Input offset drift with temperature is ±1.8µV/°C typ (VDD = +2.5V to +5.5V, TA = -40°C to +85°C)
- 8 pin DIP package, industrial operating temperature range from -40 to 85°C
Especificaciones técnicas
No. de Canales
2Canales
Velocidad de Giro Típica
0.08
Tensión de Alimentación, Rango
2.5V to 6V
No. de Pines
8Pines
Riel a Riel
Rail - Rail Output (RRO)
Corriente de Polarización de Entrada
1
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Amplificador
DIP
Ancho de Banda
155
Velocidad de Cambio (Slew Rate)
0.08
Producto de Ganancia de Ancho de Banda
155
Tensión de Alimentación, Rango
2.5V to 6V
Estuche / Paquete CI
DIP
Tipo de Amplificador
CMOS
Tensión de Desviación de Salida
250
IC, Montaje
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Calificación
AEC-Q100
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q100
Núm. de Amplificadores
2 Amplificadores
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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