MT28FW02GBBA1LPC-0AAT

MT28FW02GBBA1LPC-0AAT es una memoria automotriz flash NOR paralela. Es un dispositivo de memoria Flash NOR paralelo, de bloque uniforme y asincrónico. La matriz de memoria principal está dividida en bloques uniformes que se pueden borrar de forma independiente para poder conservar los datos válidos mientras se eliminan los datos antiguos. Los comandos PROGRAMA y BORRAR se escriben en la interfaz de comandos de la memoria. El dispositivo admite lectura aleatoria asincrónica y lectura de páginas de todos los bloques de la matriz. También cuenta con un buffer de programa interno que mejora el rendimiento al programar 512 palabras a través de una secuencia de comandos. Un bloque de memoria extendida de 512 palabras superpone direcciones con el bloque de matriz 0. Los usuarios pueden programar este espacio adicional y luego protegerlo para asegurar permanentemente el contenido. El dispositivo también cuenta con diferentes niveles de protección de hardware y software para proteger los bloques de modificaciones no deseadas.

• Tecnología de proceso de celda de un solo nivel (SLC)
• Voltaje de alimentación: VCC = 2.7–3.6V (programa, borrado, lectura), VCCQ = 1.65 - VCC (búferes de E/S)
• Programa de palabra: 25µs por palabra (típico)
• Borrado de bloque (128 KB): 0.2s (TYP)
• Desbloquear bypass, borrado de bloque, borrado de matriz y capacidad de escritura en búfer
• Operación de VERIFICACIÓN DE REDUNDANCIA CÍCLICA (CRC) para verificar un patrón de programa
• Protección VPP/WP#: protege el primer o el último bloque independientemente de la configuración de protección del bloque
• Compatible con JESD47, 100,000 (mínimo) ciclos de BORRADO por bloque, retención de datos: 20 años (TÍPICO)
• Densidad de 2Gb, configuración x16
• Paquete LBGA de 64 bolas, rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a +105 °C (grado 2 AEC-Q100)