MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E es una memoria flash NAND. Incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa.

• Tecnología de celda de un solo nivel (SLC) compatible con Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0.
• Admite operaciones internas de transferencia de datos dentro del dispositivo desde el que se leen los datos.
• La señal Ready/Busy# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación.
• Señal WP#: protege contra escritura todo el dispositivo.
• El bloque 0 requiere ECC de 1 bit si los ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO son menores a 1000
• RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido
• Retención de datos: Cumple con la norma JESD47, resistencia: 100,000 ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO
• Densidad de 1Gb, voltaje de funcionamiento de 3.3V (2.7–3.6V)
• Paquete TSOP tipo 1 de 48 pines
• Rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C