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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F2G08ABAEAH4-IT:E
No. Parte Newark25AK3648
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F2G08ABAEAH4-IT:E
No. Parte Newark25AK3648
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashSLC NAND
Densidad de Memoria2Gbit
Configuración de Memoria256M x 8bit
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines63Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso16ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
SLC NAND
Configuración de Memoria
256M x 8bit
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
2Gbit
Interfaces
Parallel
No. de Pines
63Pines
Tiempo de Acceso
16ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto