MT29F2G08ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAEAWP:E es una memoria flash NAND. Este dispositivo flash NAND incluye una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal de habilitación del chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos de forma independiente y reportar el estado. Este dispositivo tiene un ECC interno de 4 bits que se puede habilitar mediante las funciones GET/SET.

• Compatible con interfaz flash NAND abierta (ONFI) 1.0
• Tecnología de celdas de un solo nivel (SLC)
• Conjunto de comandos: Protocolo flash NAND ONFI
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar: la finalización de la operación
• Condición de aprobación/rechazo, estado de protección contra escritura
• La señal Listo/Ocupado# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación
• RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido
• Método alternativo de inicialización del dispositivo (Nand-Init) después del encendido (comuníquese con la fábrica)
• Rango de voltaje de funcionamiento de 3.3V (2.7 a 3.6V)
• Paquete TSOP de 48 pines, rango de temperatura de funcionamiento comercial de 0 °C a +70 °C