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Información del producto
Resumen del producto
MT29F2G16ABAGAWP es una memoria flash NAND. Este dispositivo flash NAND incluye una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE# y RE#. Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal de habilitación del chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos de forma independiente y reportar el estado. En la especificación ONFI, una memoria Flash NAND se denomina unidad lógica (LUN). Hay al menos una memoria Flash NAND por cada señal de habilitación de chip.
- Tecnología de celda de un solo nivel (SLC), rendimiento de E/S asíncrono, rendimiento de matriz
- El borrado de bloque es de 2 ms (típico), el conjunto de comandos es el protocolo flash NAND ONFI
- Conjunto de comandos avanzado, modo programable una sola vez (OTP), ECC interno deshabilitado de manera predeterminada (paralelo)
- El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar la finalización de la operación.
- RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido, calidad y confiabilidad
- Método alternativo de inicialización del dispositivo después del encendido (comuníquese con la fábrica)
- Operaciones de movimiento de datos internos admitidas dentro del plano desde el que se leen los datos
- Densidad de 2 Gb, ancho de dispositivo de 16 bits, nivel SLC
- Voltaje de funcionamiento de 3.3V (2.7–3.6V), interfaz asíncrona
- TSOP tipo 1 de 48 pines, encapsulado CPL, rango de temperatura de funcionamiento automotriz de -40 °C a 105 °C
Especificaciones técnicas
NAND SLC
2
128M x 16bit
Paralelo
TSOP-I
50
-
-
Surface Mount
105
MSL 3 - 168 hours
2Gbit
128M x 16bit
Parallel
TSOP-I
48Pines
50MHz
-
3.3
-40
3.3V Parallel NAND Flash Memories
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto