MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F

MT29F4G08 es una memoria flash NAND. Los dispositivos flash NAND incluyen una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal de habilitación del chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos de forma independiente y reportar el estado. En la especificación ONFI, una memoria Flash NAND se denomina unidad lógica (LUN). Hay al menos una memoria Flash NAND por cada señal de habilitación de chip.

• Tecnología de celda de un solo nivel (SLC), rendimiento de E/S asíncrono
• Rendimiento de la matriz, la página de lectura es de 45µs (típico)
• El conjunto de comandos es el protocolo flash NAND ONFI, lee ID único
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar la finalización de la operación.
• El primer bloque (dirección de bloque 00h) es válido cuando se envía desde fábrica
• RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido, calidad y confiabilidad
• Operaciones de movimiento de datos internos admitidas dentro del plano desde el que se leen los datos
• Densidad de 4 Gb, ancho de dispositivo de 8 bits, nivel SLC
• Voltaje de funcionamiento de 1.8V (1.7–1.95V), interfaz asíncrona
• Paquete VFBGA de 63 bolas, rango de temperatura de funcionamiento automotriz de –40 °C a +105 °C