MT40A2G8AG-062E AUT:F

La MT40A2G8AG-062E AUT:F es una memoria de acceso aleatorio dinámica de alta velocidad configurada internamente como una DRAM de ocho bancos para la configuración x16 y una DRAM de 16 bancos para las configuraciones x8. Esta memoria utiliza una arquitectura de prefetch 8n para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura 8n-prefetch se combina con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de LECTURA o ESCRITURA para la memoria consta de una única transferencia de datos de 8n bits de ancho y cuatro ciclos de reloj en el núcleo DRAM interno y dos transferencias de datos correspondientes de n bits de ancho y medio ciclo de reloj en los pines de E/S.

• Configuración de 2 Gig x 8, velocidad de datos de 3200MT/s, E/S de drenaje abierto pseudo de 1.2V
• El tiempo (tiempo de ciclo) es de 0.625ns en CL = 22 (DDR4-3200)
• Certificación automotriz, el rango de voltaje de suministro es de 1.14V a 1.26V
• La temperatura ultraalta es de -40 °C a 125 °C.
• 8 bancos internos (x16) son 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Arquitectura de precarga de 8n bits, preámbulos de estroboscopio de datos programables
• Entrenamiento de preámbulo de luz estroboscópica de datos, latencia de comando/dirección (CAL)
• Capacidad de LECTURA y ESCRITURA de registros multipropósito, nivelación de escritura, modo de actualización automática
• Actualización automática de bajo consumo (LPASR), actualización controlada por temperatura (TCR)
• Cumple con JEDEC JESD-79-4, capacidad sPPR y hPPR