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                      MT46V64M8P-5B:J

                      DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8bit, 200 MHz, TSOP, 66 Pines

                      MICRON MT46V64M8P-5B:J
                      La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
                      FabricanteMICRON
                      No. Parte FabricanteMT46V64M8P-5B:J
                      No. Parte Newark80AH8115
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

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                      Información del producto

                      FabricanteMICRON
                      No. Parte FabricanteMT46V64M8P-5B:J
                      No. Parte Newark80AH8115
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Tipo de DRAMDDR
                      Densidad de DRAM512Mbit
                      Densidad de Memoria512
                      Configuración de Memoria64M x 8bit
                      Configuración Memoria DRAM64M x 8bit
                      Frecuencia de Reloj200MHz
                      Frecuencia Max de Reloj200
                      Estuche / Paquete CITSOP
                      Memoria, TipoTSOP
                      Núm. de Contactos66Pines
                      Tensión de Alimentación Nom.2.6
                      IC, MontajeSurface Mount
                      Tiempo de Acceso5ns
                      Temperatura de Trabajo Mín.0
                      Temperatura de Trabajo Máx.70
                      Rango de Producto-
                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)

                      Resumen del producto

                      MT46V64M8P-5B:J es una SDRAM de doble velocidad de datos (DDR). Utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad. Esta arquitectura de doble velocidad de datos es esencialmente para una arquitectura de prebúsqueda 2n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Un único acceso de lectura o escritura a la memoria consta de una única transferencia de datos de un ciclo de reloj y de 2n bits de ancho en el núcleo DRAM interno y dos transferencias de datos correspondientes de medio ciclo de reloj y de n bits de ancho en los pines de E/S. Tiene una arquitectura interna de doble velocidad de datos (DDR) canalizada con dos accesos a datos por ciclo de reloj.

                      • El rango de voltaje de operación es de 2.5V a 2.7V
                      • Configuración de 64Meg x 8
                      • El estilo de paquete es TSOP de 400 milésimas.
                      • El tiempo (tiempo de ciclo) es de 5ns en CL = 3 (DDR400)
                      • Temperatura de funcionamiento desde 0°C hasta +70°C
                      • La frecuencia de reloj es de 200MHz, se admite el bloqueo RAS (ᵗRAP = ᵗRCD)
                      • Entradas de reloj diferencial (CK y CK#), cuatro bancos internos para operación concurrente
                      • Comandos ingresados ​​en cada borde CK positivo, se admite la opción de precarga automática simultánea
                      • DQS alineado en el borde con datos para LECTURA, alineado en el centro con datos para ESCRITURA
                      • DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK, actualización automática de 64ms, 8192 ciclos

                      Especificaciones técnicas

                      Tipo de DRAM

                      DDR

                      Densidad de Memoria

                      512

                      Configuración Memoria DRAM

                      64M x 8bit

                      Frecuencia Max de Reloj

                      200

                      Memoria, Tipo

                      TSOP

                      Tensión de Alimentación Nom.

                      2.6

                      Tiempo de Acceso

                      5ns

                      Temperatura de Trabajo Máx.

                      70

                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

                      MSL 3 - 168 hours

                      Densidad de DRAM

                      512Mbit

                      Configuración de Memoria

                      64M x 8bit

                      Frecuencia de Reloj

                      200MHz

                      Estuche / Paquete CI

                      TSOP

                      Núm. de Contactos

                      66Pines

                      IC, Montaje

                      Surface Mount

                      Temperatura de Trabajo Mín.

                      0

                      Rango de Producto

                      -

                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

                      No SVHC (17-Jan-2023)

                      Documentos técnicos (1)

                      Technical Data Sheet EN

                      Legislación y medioambiente

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme a RoHS:Sí

                      RoHS

                      Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

                      RoHS

                      Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
                      Descargue el certificado de cumplimiento del producto

                      Certificado de conformidad del producto

                      Servicio al cliente
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