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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT48LC8M16A2P-6A IT:L
No. Parte Newark80AH8170
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT48LC8M16A2P-6A IT:L
No. Parte Newark80AH8170
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMSDR
Densidad de DRAM128Mbit
Densidad de Memoria128Mbit
Configuración de Memoria8M x 16bit
Configuración Memoria DRAM8M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj166MHz
Frecuencia de Reloj166MHz
Memoria, TipoTSOP
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines54Pines
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
Tiempo de Acceso6ns
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT48LC8M16A2P-6A IT:L is a 128Mb SDRAM and a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 134,217,728 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the x16’s 33,554,432-bit banks are organized as 4096 rows by 512 columns by 16 bits.
- Operating supply voltage range is 3V to 3.6V
- 8Meg x 16 (2 Meg x 16 x 4 banks) configuration, LVTTL-compatible inputs and outputs
- Packaging style is 54-pin TSOP II (400 mil)
- Timing (cycle time) is 6.0ns at CL = 3 (x16 only)
- Industrial temperature range is –40˚C to +85˚C
- Clock frequency is 167MHz, auto refresh is 64ms, 4096-cycle refresh
- Fully synchronous to all signals registered on positive edge of system clock
- Internal, pipelined operation to column address can be changed every clock cycle
- Internal banks for hiding row access/precharge
- Auto precharge, includes concurrent auto precharge and auto refresh modes
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
SDR
Densidad de Memoria
128Mbit
Configuración Memoria DRAM
8M x 16bit
Frecuencia de Reloj
166MHz
Estuche / Paquete CI
TSOP
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de DRAM
128Mbit
Configuración de Memoria
8M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj
166MHz
Memoria, Tipo
TSOP
No. de Pines
54Pines
Tiempo de Acceso
6ns
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto