MT53E1G32D2FW-046 AUT:B

La MT53E1G32D2FW-046 AUT:B es una SDRAM LPDDR4. Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad de 16 Gb. Esta memoria está configurada internamente con 2 canales o 1 canal × 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos. Tiene un sensor de temperatura en el chip para controlar la frecuencia de actualización automática y latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL). Esta memoria tiene una actualización dirigida por banco para la operación simultánea de bancos y facilidad de programación de comandos. Tiene entrada CMD/ADR de velocidad de datos única con terminación VSS (ODT) programable.

• El rango de voltaje de funcionamiento es 1.10V (VDD2) / 0.60V o 1.10V (VDDQ)
• Configuración de 1 Gig x 32, LPDDR4, direccionamiento de 2 matrices, capacidad de detención de reloj
• El estilo de empaque es TFBGA de 200 bolas
• El tiempo de ciclo es 046 = 468ps, ᵗCK RL = 36/40
• El rango de temperatura de funcionamiento es de –40 °C a +125 °C, certificado para automoción, diseño b
• La frecuencia de reloj es de 2133MHz, la velocidad de datos es de 4266 Mb/s, arquitectura DDR de precarga de 16n
• El rango de frecuencia es de 2133-10MHz (rango de velocidad de datos por pin: 4266–20Mb/s)
• 8 bancos internos por canal para operación concurrente
• Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
• Actualización automática de matriz parcial (PASR), potencia de salida seleccionable (DS)