Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 WT:B
No. Parte Newark25AK7958
Hoja de datos técnicos
1,060 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $31.440 |
5+ | $30.270 |
10+ | $29.090 |
25+ | $27.690 |
50+ | $26.990 |
100+ | $25.970 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$31.44
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 WT:B
No. Parte Newark25AK7958
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria32
Configuración de Memoria1G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-25
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
La MT53E1G32D2FW-046 WT:B es una SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 32Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X). Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad.
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), longitud de ráfaga programable y sobre la marcha (BL = 16.32)
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Hasta 8.5GB/s por chip x16, sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática
- Actualización automática de matriz parcial (PASR), potencia de salida seleccionable (DS), capacidad de parada de reloj
- Terminación VSS (ODT) programable, compatibilidad con CK de un solo extremo y DQS
- Densidad total de 4GB (32Gb), velocidad de datos de 4266Mb/s por pin
- Paquete TFBGA de 200 bolas
- El rango de clasificación de temperatura de operación de -25°C a +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Configuración de Memoria
1G x 32bit
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-25
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
32
Frecuencia Max de Reloj
2.133
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto