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MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
DRAM, LPDDR4 Móvil, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G64D4HJ-046 AAT:CCopiar
No. Parte Newark25AK7960
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G64D4HJ-046 AAT:CCopiar
No. Parte Newark25AK7960
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM64Gbit
Densidad de Memoria64
Configuración Memoria DRAM1G x 64bit
Configuración de Memoria1G x 64bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines556Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
Tiempo de Acceso468ps
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
La MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C es una SDRAM LPDDR4. Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Esta memoria está configurada internamente con 2 canales o 1 canal × 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos. Tiene terminación VSS programable (ODT) y soporte CK y DQS de un solo extremo. Esta memoria tiene una actualización dirigida por banco para la operación simultánea de bancos y facilidad de programación de comandos.
- El voltaje de funcionamiento es 1.10V (VDD2), 0.60V o 1.10V (VDDQ)
- Configuración de 1 Gig x 64, LPDDR4, direccionamiento 4die
- El estilo de empaque es TFBGA de 556 bolas
- El tiempo de ciclo es de 468ps en RL = 36/40, capacidad de parada de reloj.
- El rango de temperatura de funcionamiento es de –40 °C a +105 °C, certificado para automoción, diseño C
- La velocidad del reloj es de 2133MHz, la velocidad de datos por pin es de 4266Mb/s
- Fuentes de alimentación de E/S y núcleo de voltaje ultrabajo
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), intensidad de transmisión de salida seleccionable (DS)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
64
Configuración de Memoria
1G x 64bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de DRAM
64Gbit
Configuración Memoria DRAM
1G x 64bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
556Pines
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto