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MT53E256M16D1FW-046 AIT:B
DRAM, LPDDR4 Móvil, 4 Gbit, 256M x 16bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M16D1FW-046 AIT:B
No. Parte Newark80AH8356
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M16D1FW-046 AIT:B
No. Parte Newark80AH8356
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria4
Densidad de DRAM4Gbit
Configuración Memoria DRAM256M x 16bit
Configuración de Memoria256M x 16bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
Tiempo de Acceso-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.95
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM
4Gbit
Configuración de Memoria
256M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
95
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
4
Configuración Memoria DRAM
256M x 16bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
200Pines
Tiempo de Acceso
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto