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MT53E2G32D4DE-046 AIT:C
DRAM, LPDDR4 Móvil, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G32D4DE-046 AIT:C
No. Parte Newark25AK7966
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 5+ | $75.510 |
| 10+ | $72.470 |
| 25+ | $70.940 |
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G32D4DE-046 AIT:C
No. Parte Newark25AK7966
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria64
Configuración de Memoria2G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.95
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C es una SDRAM LPDDR4 móvil automotriz. La SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 16Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X) es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Este dispositivo está configurado internamente con 1 canal × 16 E/S y tiene 8 bancos.
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencia de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL=16, 32)
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática y actualización automática de matriz parcial (PASR)
- Intensidad de salida seleccionable (DS), capacidad de parada del reloj, terminación VSS (ODT) programable
- Densidad total de 8GB (64Gb), velocidad de datos de 4266Mb/s por pin, configuración de 2 Gig x 32
- Voltaje de funcionamiento 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ o 1.10V VDDQ
- Paquete TFBGA de 200 bolas
- Rango de temperatura de operación de -40°C a +95°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Configuración de Memoria
2G x 32bit
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
64
Frecuencia Max de Reloj
2.133
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
95
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto