MT53E2G64D8TN-046 AUT:C

La MT53E2G64D8TN-046 AUT:C es una SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 16Gb con bajo VDDQ. Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Esta memoria está configurada internamente con 2 canales o 1 canal × 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos. Ha dirigido la actualización por banco para la operación simultánea del banco y la facilidad de programación de comandos. Esta memoria tiene un sensor de temperatura en el chip para controlar la frecuencia de actualización automática. Tiene capacidad de detener el reloj y entrada CMD/ADR de velocidad de datos única. Tiene longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL = 16, 32). Esta memoria tiene lectura de datos diferencial/bidireccional por carril de byte.

• El voltaje de funcionamiento es 1.10V (VDD2) / 0.60V o 1.10V (VDDQ)
• Configuración 2Gig x 64, LPDDR4, direccionamiento 8die, diseño C
• El estilo de empaque es LFBGA de 556 bolas
• El tiempo de ciclo es de 468ps en RL = 36/40, actualización automática de matriz parcial (PASR)
• El rango de temperatura de funcionamiento es de –40°C a +125°C, apto para automoción
• La velocidad del reloj es de 2133MHz, la velocidad de datos por pin es de 4266Mb/s
• Fuentes de alimentación de E/S y núcleo de voltaje ultrabajo
• Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
• Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, compatibilidad con CK y DQS de un solo extremo
• Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), intensidad de transmisión de salida seleccionable (DS)