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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT60B2G8RZ-64B:D
No. Parte Newark03AM6931
Tipo de DRAMDDR5
Densidad de Memoria16
Configuración de Memoria2G x 8bit
Frecuencia Max de Reloj3.2
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines78Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
MT60B2G8RZ-64B:D is a DDR5 SDRAM.
- VDD = VDDQ = 1.1V (NOM), VPP= 1.8V (NOM), 1.1V pseudo open-drain I/O
- On-die, internal, adjustable VREF generation for DQ, CA, CS
- 16n-bit prefetch architecture, 1 cycle/2 cycle command structure
- 2N mode, all bank and same bank refresh, multi-purpose command (MPC)
- CS/CA training mode, on-die ECC (bounded fault), ECC transparency and error scrub
- Command-based non-target (NT) nominal, DQ/DQS park, and dynamic WR on-die termination (ODT)
- sPPR and hPPR capability, MBIST/mPPR capability, per-DRAM addressability
- JEDEC JESD-79.5 compliant
- 2 Gig x 8 configuration, 0.312ns at CL = 52 cycle time
- 78-ball FBGA package, -40°C to 0°C commercial temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
DDR5
Configuración de Memoria
2G x 8bit
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
16
Frecuencia Max de Reloj
3.2
No. de Pines
78Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto