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MTA4ATF51264HZ-3G2J1
Módulo de Memoria RAM, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, SO-DIMM SDRAM DDR4 260-Pines, Notebook SODIMM
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMTA4ATF51264HZ-3G2J1
No. Parte Newark80AH7019
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $33.810 |
| 5+ | $32.510 |
| 10+ | $31.210 |
| 25+ | $29.110 |
| 50+ | $28.090 |
| 100+ | $27.100 |
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMTA4ATF51264HZ-3G2J1
No. Parte Newark80AH7019
Hoja de datos técnicos
Densidad de Memoria4
Velocidad de Memoria1
Módulo de MemoriaPC4-3200
Factor de Forma de MóduloSO-DIMM SDRAM DDR4 260-Pines
Memoria AplicaciónNotebook SODIMM
Configuración de Memoria512M x 64bit
Tensión de Alimentación Mín.1.14
Tensión de Alimentación Máx.1.26
Tensión de Alimentación Nom.1.2
Temperatura de Trabajo Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.95
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Especificaciones técnicas
Densidad de Memoria
4
Módulo de Memoria
PC4-3200
Memoria Aplicación
Notebook SODIMM
Tensión de Alimentación Mín.
1.14
Tensión de Alimentación Nom.
1.2
Temperatura de Trabajo Máx.
95
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Velocidad de Memoria
1
Factor de Forma de Módulo
SO-DIMM SDRAM DDR4 260-Pines
Configuración de Memoria
512M x 64bit
Tensión de Alimentación Máx.
1.26
Temperatura de Trabajo Mín.
0
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto