MTA4ATF51264HZ-3G2J1

MTA4ATF51264HZ-3G2J1 es un módulo SDRAM DDR4 de alta velocidad que utiliza un dispositivo SDRAM DDR4 con dos o cuatro grupos de bancos de memoria interna. El módulo DDR4 SDRAM se beneficia del uso de una arquitectura de prebúsqueda 8n de DDR4 SDRAM con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una única operación de LECTURA o ESCRITURA para la memoria DDR4 SDRAM consiste efectivamente en una única transferencia de datos de 8n bits de ancho y cuatro ciclos de reloj en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de n bits de ancho y medio ciclo de reloj en los pines de E/S. El módulo DDR4 utiliza dos conjuntos de señales diferenciales: DQS-t y DQS-c para capturar datos y CK-t y CK-c para capturar comandos, direcciones y señales de control. Los relojes diferenciales y los estrobos de datos garantizan una inmunidad al ruido excepcional para estas señales y proporcionan puntos de cruce precisos para capturar señales de entrada.

• VDD = 1.20V (NOM), VPP = 2.5V (NOM), VDDSPD = 2.5V (NOM)
• Terminación integrada (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara
• Actualización automática de bajo consumo (LPASR), inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en el chip
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2C integrada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Se fijó un valor de 4 para el corte de ráfaga (BC) y un valor de 8 para la longitud de ráfaga (BL) mediante el registro de modo configurado (MRS).
• Densidad de módulo de 4 GB, configuración de 512 Meg x 64, ancho de banda del módulo de 25.6GB/s
• Paquete DIMM de 260 pines
• Rango de temperatura de funcionamiento comercial: de 0 a 95 °C