MTA9ASF1G72HZ-3G2R1

El MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 es un módulo SDRAM DDR4 de alta velocidad. El módulo DDR4 SDRAM se beneficia del uso de una arquitectura de precarga 8n de DDR4 SDRAM con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de LECTURA o ESCRITURA para la SDRAM DDR4 consiste efectivamente en una única transferencia de datos de cuatro ciclos de reloj y 8n bits de ancho en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de medio ciclo de reloj y n bits de ancho en los pines de E/S. Los módulos DDR4 utilizan dos conjuntos de señales diferenciales: DQS_t y DQS_c para capturar datos y CK_t y CK_c para capturar comandos, direcciones y señales de control. Los relojes diferenciales y los estrobos de datos garantizan una inmunidad al ruido excepcional para estas señales y proporcionan puntos de cruce precisos para capturar señales de entrada.

• Admite detección y corrección de errores ECC
• Terminación integrada (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara
• Actualización automática de bajo consumo (LPASR), inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en matriz, rango único, 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Sensor de temperatura I2C integrado con EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) integrada
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF), contactos de borde dorado, topología fly-by
• Bus de control, comando y dirección terminado
• Densidad de módulo de 8GB, configuración de 1 Gig x 72, ancho de banda del módulo de 25.6GB/s
• Paquete DIMM de 260 pines, temperatura de funcionamiento comercial de 0 °C ≤ TOPER ≤ 95 °C