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2N7002PW,115
MOSFET, N-CH, 60V, 0.31A, SOT-323-3
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.051 |
| 6000+ | $0.050 |
| 12000+ | $0.048 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PW,115
No. Parte Newark97AK6332
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id310mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75V
Disipación de Potencia260mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
310mA
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
260mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza 2N7002PW,115
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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