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GAN039-650NTBJ
GAN TRANSISTOR, 650V, 58.5A, CCPAK1212I ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.980 |
| 10+ | $15.660 |
| 25+ | $14.950 |
| 50+ | $14.260 |
| 100+ | $13.550 |
| 250+ | $13.200 |
| 500+ | $12.840 |
| 1000+ | $10.880 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN039-650NTBJ
No. Parte Newark14AM4308
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id58.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039ohm
Carga de Compuerta Típica26nC
Diseño de TransistorCCPAK1212i
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines12Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039ohm
Diseño de Transistor
CCPAK1212i
No. de Pines
12Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
58.5A
Carga de Compuerta Típica
26nC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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