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GAN039-650NTBZ
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, Montaje Superficial
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $13.770 |
| 10+ | $12.200 |
| 25+ | $11.690 |
| 50+ | $11.170 |
| 100+ | $10.650 |
| 250+ | $10.190 |
| 500+ | $9.720 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.77
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN039-650NTBZ
No. Parte Newark86AK7397
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id58.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039
Carga de Compuerta Típica26
Diseño de TransistorSOT-8005
Montaje de TransistorSurface Mount
Núm. de Contactos12Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039
Diseño de Transistor
SOT-8005
Núm. de Contactos
12Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
58.5
Carga de Compuerta Típica
26
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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