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GAN111-650WSBQ
GAN TRANSISTOR, 650V, 21A, TO-247-3 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.640 |
| 10+ | $10.060 |
| 25+ | $9.630 |
| 50+ | $9.200 |
| 100+ | $8.770 |
| 250+ | $8.340 |
| 600+ | $7.910 |
| 1200+ | $7.890 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN111-650WSBQ
No. Parte Newark14AM4309
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id21A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.114ohm
Carga de Compuerta Típica4.9nC
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.114ohm
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
21A
Carga de Compuerta Típica
4.9nC
Montaje de Transistor
Through Hole
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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